第三个集成电路国家创新中心获批 长电科技等多家上市公司参与建设

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中国证券报(记者李兴才)5月6日晚，工业和信息化部(MIIT)宣布批准成立国家集成电路特征技术与封装测试创新中心。这是继国家集成电路创新中心和国家智能传感器创新中心之后，MIIT在集成电路领域批准的第三个国家创新中心，对封装测试行业意义重大。

在集成电路行业看来，国家支持行业向上发展，建立创新中心，搭建行业关键共性技术研发平台，已经成为一个新起点。国家集成电路特性工艺与封装测试创新中心由华金半导体成立，股东包括长江电子科技、通福微电子、华天科技、深南电路、方静科技等多家上市公司。

将建立国家集成电路封装和测试创新中心

国家集成电路特性工艺和封装测试创新中心由华金半导体成立，其股东包括集成电路封装测试和材料领域的重点企业和研究机构，如长江电子科技、通福微电子、华天科技、深南电路、方静技术和中国科学院微电子研究所。

数据显示，华金半导体股东包括长江电子科技、华天科技、通福微电子、深南电路、方静科技、兴森科技等。，它们都是集成电路封装和测试及相关领域的领先公司。

据记者了解，国家集成电路特性技术和封装测试创新中心是继国家集成电路创新中心和国家智能传感器创新中心之后，工业和信息化部批准的第三个集成电路领域国家创新中心，对封装测试行业具有重要意义。

根据工业和信息化部的公告，国家集成电路特征技术和封装测试创新中心的“使命”是突破集成电路特征技术和封装测试领域的关键共性技术，搭建行业共性技术研发平台和人才培养基地，促进我国集成电路产业的创新发展。

事实上，通过平台公司研究和开发关键的通用技术是世界上发展集成电路技术的一种成熟和通用的方式。例如，比利时有imec，一个向全球工业开放的通用技术研发中心。

关键的通用技术平台受到青睐

值得一提的是，在集成电路领域，三个国家创新中心都获得了工业和信息化部的批准。

“鉴于我国集成电路行业仍处于相对落后的状态，行业内企业的规模积累还比较薄弱，政府率先建立关键共性技术研发平台是必然选择。”对此，一些集成电路行业人士解释说，依靠创新中心研发关键共性技术已经成为国家支持行业发展的新起点。

据记者了解，早在2016年4月12日，工业和信息化部就宣布，工业和信息化部、国家发展和改革委员会、科技部和财政部联合发布了包括制造创新中心在内的五大项目实施指引。

其中，在制造创新中心建设中，围绕重点产业转型升级和新一代信息技术、智能制造、添加剂制造、新材料、生物医药等领域创新发展的重大共同需求，建设一批制造创新中心。目标是到2020年形成大约15个国家制造创新中心；到2025年，大约会有40个。

据上海证券交易所不完全统计，经工业和信息化部批准的国家创新中心还包括:国家稀土功能材料创新中心、国家智能网络化汽车创新中心、国家印刷与柔性显示创新中心、国家先进功能纤维创新中心、国家农业机械设备创新中心、国家先进轨道交通设备创新中心、国家数字设计与制造创新中心、国家动力电池创新中心、国家机器人创新中心、国家信息光电创新中心、国家集成电路创新中心、国家智能传感器创新中心

对于关键共性技术R&D平台的开发，上述业内人士也建议，鉴于产业链技术整合的新趋势，宜进一步横向和纵向拓展创新中心的参与者。

“例如，集成电路制造的前、后一体化趋势日益明显。fab已成为先进封装技术研发的重要力量，还应参与封装和测试创新技术中心的建设。”此人以包装和测试领域为例进一步解释。从这个角度来看，SMIC和长江电子科技联合成立了SMIC，进行凸点量产工艺的研发。

来源：新浪直播网